Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorType de montage
CMS
Type de conditionnement
SOD-123
Courant direct continu maximum
350mA
Tension inverse de crête répétitive
40V
Configuration de diode
Single
Type diode
Schottky
Nombre de broche
2
Chute minimale de tension directe
600mV
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
Schottky
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
1.5A
Pays d'origine
Taiwan, Province Of China
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, Taiwan Semiconductor
Faible perte de puissance
Faible chute de tension directe
Capacité de courant élevé
Diodes and Rectifiers, Taiwan Semiconductor
Prix sur demande
Each (In a Pack of 250) (hors TVA)
250
Prix sur demande
Each (In a Pack of 250) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
250
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorType de montage
CMS
Type de conditionnement
SOD-123
Courant direct continu maximum
350mA
Tension inverse de crête répétitive
40V
Configuration de diode
Single
Type diode
Schottky
Nombre de broche
2
Chute minimale de tension directe
600mV
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
Schottky
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
1.5A
Pays d'origine
Taiwan, Province Of China
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, Taiwan Semiconductor
Faible perte de puissance
Faible chute de tension directe
Capacité de courant élevé