JFET, 2SK208-R(TE85L,F), Canal-N, 10 V Simple SOT-346 (SC-59), 3 broches Simple

N° de stock RS: 760-3123Marque: ToshibaN° de pièce Mfr: 2SK208-R(TE85L,F)
brand-logo
Tout voir dans JFETs

Documents techniques

Spécifications

Brand

Toshiba

Type de canal

N

Idss Drain-source Courant de coupure

0.3 to 0.75mA

Tension Drain Source maximum

10 V

Tension Grille Source maximum

-30 V

Tension Drain Grille maximum

-50V

Format

Single

Configuration du transistor

Single

Type de montage

CMS

Type de conditionnement

SMini

Nombre de broche

3

Dimensions

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Taille

1.1mm

Largeur

1.5mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Température d'utilisation maximum

+125 °C

Longueur

2.9mm

Détails du produit

JFET canal N Toshiba

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

€ 3,02

€ 0,302 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

JFET, 2SK208-R(TE85L,F), Canal-N, 10 V Simple SOT-346 (SC-59), 3 broches Simple
Sélectionner le type d'emballage

Standard

Sélectionner le type d'emballage

Standard - each

Disponible en multiples de 10.

Production -

Disponible en multiples de 10.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 10
10€ 3,02
20€ 6,04
30€ 9,06
40€ 12,08
50€ 15,10
60€ 18,12
70€ 21,14
80€ 24,16
90€ 27,18
100€ 20,30
110€ 22,33
120€ 24,36
130€ 26,39
140€ 28,42
150€ 30,45

€ 3,02

€ 0,302 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

JFET, 2SK208-R(TE85L,F), Canal-N, 10 V Simple SOT-346 (SC-59), 3 broches Simple
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Sélectionner le type d'emballage

Standard

Sélectionner le type d'emballage

Standard - each

Disponible en multiples de 10.

Production -

Disponible en multiples de 10.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 10
10€ 3,02
20€ 6,04
30€ 9,06
40€ 12,08
50€ 15,10
60€ 18,12
70€ 21,14
80€ 24,16
90€ 27,18
100€ 20,30
110€ 22,33
120€ 24,36
130€ 26,39
140€ 28,42
150€ 30,45

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Veuillez vérifier à nouveau plus tard.

QuantitéPrix unitairePar Paquet
10 - 90€ 0,302€ 3,02
100 - 190€ 0,203€ 2,03
200 - 390€ 0,184€ 1,84
400+€ 0,18€ 1,80

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

Documents techniques

Spécifications

Brand

Toshiba

Type de canal

N

Idss Drain-source Courant de coupure

0.3 to 0.75mA

Tension Drain Source maximum

10 V

Tension Grille Source maximum

-30 V

Tension Drain Grille maximum

-50V

Format

Single

Configuration du transistor

Single

Type de montage

CMS

Type de conditionnement

SMini

Nombre de broche

3

Dimensions

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Taille

1.1mm

Largeur

1.5mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Température d'utilisation maximum

+125 °C

Longueur

2.9mm

Détails du produit

JFET canal N Toshiba

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus