Phototransistor, Vishay, lumière visible + IR, BPW76B, ±40 °, Traversant, boîtier TO-18
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishaySpectres détectés
Infrarouge, Lumière visible
Temps de chute
5µs
Temps de croissance
6µs
Nombre de voies
1
Courant photoélectrique maximum
600µA
Courant d'obscurité maximum
100nA
Angle de sensibilité moyenne
±40 °
Polarité
NPN
Nombre de broches
3
Type de montage
Through Hole
Type de conditionnement
TO-18
Dimensions
4.7 x 5.2mm
Courant de collecteur
50mA
Diamètre
4.7mm
Longueur d'onde minimum détectée
450nm
Longueur d'onde maximum détectée
1080nm
Gamme spectrale de sensibilité
450 → 1 080 nm
Hauteur
5.2mm
Pays d'origine
Philippines
Détails du produit
Phototransistors séries BPW76A et BPW76B
Les séries BPW76A et BPW76B, de Vishay Semiconductor, constituent une famille de phototransistors NPN silicium. Elles sont fournies dans des boîtiers TO-18 hermétiques avec une fenêtre en verre. Elles sont sensibles aux rayonnements visible et IR. Les phototransistors BPW76A et BPW76B sont des composants idéals en tant que détecteurs électroniques dans les circuits de commande et de variateur.
Caractéristiques des phototransistors BPW76A et BPW76B :
Boîtier TO-18
Montage traversant
Ø 4,7 mm
Haute photo-sensibilité
Forte sensibilité rayonnante
Angle de demi-intensité : 40 °
Température d'utilisation : -40 à +125 °C
IR Phototransistors, Vishay Semiconductor
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Prix sur demande
Each (In a Bag of 1000) (hors TVA)
1000
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5µs
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Courant photoélectrique maximum
600µA
Courant d'obscurité maximum
100nA
Angle de sensibilité moyenne
±40 °
Polarité
NPN
Nombre de broches
3
Type de montage
Through Hole
Type de conditionnement
TO-18
Dimensions
4.7 x 5.2mm
Courant de collecteur
50mA
Diamètre
4.7mm
Longueur d'onde minimum détectée
450nm
Longueur d'onde maximum détectée
1080nm
Gamme spectrale de sensibilité
450 → 1 080 nm
Hauteur
5.2mm
Pays d'origine
Philippines
Détails du produit
Phototransistors séries BPW76A et BPW76B
Les séries BPW76A et BPW76B, de Vishay Semiconductor, constituent une famille de phototransistors NPN silicium. Elles sont fournies dans des boîtiers TO-18 hermétiques avec une fenêtre en verre. Elles sont sensibles aux rayonnements visible et IR. Les phototransistors BPW76A et BPW76B sont des composants idéals en tant que détecteurs électroniques dans les circuits de commande et de variateur.
Caractéristiques des phototransistors BPW76A et BPW76B :
Boîtier TO-18
Montage traversant
Ø 4,7 mm
Haute photo-sensibilité
Forte sensibilité rayonnante
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