Mémoire FRAM, FM25W256-G, 256Kbit, 32K x 8 bits, SPI, SOIC, 8 broches, 5,5 V
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonTaille mémoire
256kbit
Configuration
32K x 8 bits
Type d'interface
SPI
Largeur de bus de données
8bit
Temps d'accès aléatoire maximum
20ns
Type de fixation
CMS
Type de conditionnement
SOIC W
Nombre de broche
8
Dimensions
4.97 x 3.98 x 1.48mm
Longueur
4.97mm
Largeur
3.98mm
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
5.5 V
Hauteur
1.48mm
Température d'utilisation maximum
85 °C
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2.7 V
Nombre de mots
32K
Nombre de bits par mot
8bit
Standard automobile
AEC-Q100
Détails du produit
FRAM, Cypress Semiconductor
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) est éco-énergétique et offre la plus grande fiabilité en termes de RAM non volatile à la fois pour les interfaces série et parallèle. Les pièces avec le suffixe A sont conçues pour les applications automobiles et sont certifiées AEC-Q100.
Mémoire vive ferroélectrique non volatile
Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
Faible consommation électrique
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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€ 7,61
€ 7,61 Each (hors TVA)
Standard
1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 7,61 |
| 10 - 49 | € 5,73 |
| 50 - 99 | € 5,59 |
| 100 - 499 | € 5,41 |
| 500+ | € 5,30 |
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SPI
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8
Dimensions
4.97 x 3.98 x 1.48mm
Longueur
4.97mm
Largeur
3.98mm
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
5.5 V
Hauteur
1.48mm
Température d'utilisation maximum
85 °C
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
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2.7 V
Nombre de mots
32K
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8bit
Standard automobile
AEC-Q100
Détails du produit
FRAM, Cypress Semiconductor
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) est éco-énergétique et offre la plus grande fiabilité en termes de RAM non volatile à la fois pour les interfaces série et parallèle. Les pièces avec le suffixe A sont conçues pour les applications automobiles et sont certifiées AEC-Q100.
Mémoire vive ferroélectrique non volatile
Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
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