IGBT, IKW50N65ES5XKSA1, , 80 A, 650 V, A-247, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonCourant continu de Collecteur maximum
80 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
650 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
274 W
Nombre de transistors
1
Type de conditionnement
TO-247
Type de fixation
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
30kHz
Configuration du transistor
Single
Dimensions
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Capacité de grille
3100pF
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Indice énergétique
1.78mJ
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors IGBT Infineon TrenchStop, 600 et 650 V
Une gamme de transistors IGBT d'Infineon, avec des tensions nominales du collecteur-émetteur de 600 et 650 V avec la technologie TrenchStop™. La gamme comprend des circuits avec diode intégrée haute vitesse, antiparallèle à récupération rapide.
• Plage de tensions de l'émetteur-collecteur 600 à 650 V
• VCEsat très faible
• Pertes de mise hors tension faibles
• Courant d'extrémité court
• IEM faible
• Température de jonction maximale 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 5,41
€ 5,41 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
1
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InfineonCourant continu de Collecteur maximum
80 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
650 V
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Dissipation de puissance maximum
274 W
Nombre de transistors
1
Type de conditionnement
TO-247
Type de fixation
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
30kHz
Configuration du transistor
Single
Dimensions
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Capacité de grille
3100pF
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Indice énergétique
1.78mJ
Pays d'origine
China
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Transistors IGBT Infineon TrenchStop, 600 et 650 V
Une gamme de transistors IGBT d'Infineon, avec des tensions nominales du collecteur-émetteur de 600 et 650 V avec la technologie TrenchStop™. La gamme comprend des circuits avec diode intégrée haute vitesse, antiparallèle à récupération rapide.
• Plage de tensions de l'émetteur-collecteur 600 à 650 V
• VCEsat très faible
• Pertes de mise hors tension faibles
• Courant d'extrémité court
• IEM faible
• Température de jonction maximale 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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