Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonTaille mémoire
512Mbit
Type d'interface
CFI, Parallèle
Type de boîtier
TSOP I
Nombre de broche
56
Configuration
32 Mb x 16 bits
Type de montage
CMS
Type de cellule
NOR
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2.7 V
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Dimensions
18.5 x 14.1 x 1.05mm
Nombre de mots
32M
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Nombre de bits par mot
16bit
Température d'utilisation maximum
85 °C
Temps d'accès aléatoire maximum
110ns
Détails du produit
Mémoire Flash NOR parallèle, Cypress Semiconductor
Grandes performances.
Accès aléatoire rapide et largeur de bande élevée
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.
€ 7,68
€ 7,68 Each (hors TVA)
Standard
1
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InfineonTaille mémoire
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Type de boîtier
TSOP I
Nombre de broche
56
Configuration
32 Mb x 16 bits
Type de montage
CMS
Type de cellule
NOR
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2.7 V
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Dimensions
18.5 x 14.1 x 1.05mm
Nombre de mots
32M
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Nombre de bits par mot
16bit
Température d'utilisation maximum
85 °C
Temps d'accès aléatoire maximum
110ns
Détails du produit
Mémoire Flash NOR parallèle, Cypress Semiconductor
Grandes performances.
Accès aléatoire rapide et largeur de bande élevée
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.