Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
100 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
45 V
Type de conditionnement
TO-92
Type de fixation
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
625 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
50 V
Tension Emetteur Base maximum
6 V
Fréquence de fonctionnement maximum
300 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
5.33 x 5.2 x 4.19mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
5.33mm
Prix sur demande
Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Paquet de production (Bande)
100
Prix sur demande
Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Paquet de production (Bande)
100
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Brand
ON SemiconductorType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
100 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
45 V
Type de conditionnement
TO-92
Type de fixation
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
625 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
50 V
Tension Emetteur Base maximum
6 V
Fréquence de fonctionnement maximum
300 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
5.33 x 5.2 x 4.19mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
5.33mm