Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de fixation
Through Hole
Type de conditionnement
TO-220AC
Courant direct continu maximum
8A
Tension inverse de crête répétitive
200V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
General Purpose
Type diode
Redresseurs ultrarapides
Nombre de broche
2
Chute minimale de tension directe
1.25V
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
Jonction au silicium
Temps de recouvrement inverse crête
35ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
100A
Détails du produit
Diodes de redressement, 4 à 9 A, ON Semiconductor
Standards
Products with NSV- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de fixation
Through Hole
Type de conditionnement
TO-220AC
Courant direct continu maximum
8A
Tension inverse de crête répétitive
200V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
General Purpose
Type diode
Redresseurs ultrarapides
Nombre de broche
2
Chute minimale de tension directe
1.25V
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
Jonction au silicium
Temps de recouvrement inverse crête
35ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
100A
Détails du produit
Diodes de redressement, 4 à 9 A, ON Semiconductor
Standards
Products with NSV- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.