MOSFET STMicroelectronics canal N, A-247 39 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
39 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de boîtier
TO-247
Séries
MDmesh
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
70 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
255 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.15mm
Longueur
15.75mm
Charge de Grille type @ Vgs
124 nC @ 10 V
Taille
20.15mm
Détails du produit
Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 133,35
€ 4,445 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 4,445 | € 133,35 |
| 60+ | € 4,223 | € 126,68 |
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N
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Séries
MDmesh
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
70 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
255 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.15mm
Longueur
15.75mm
Charge de Grille type @ Vgs
124 nC @ 10 V
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