Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
100 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
120 V
Type de conditionnement
SMini
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
0,15 W
Gain en courant DC minimum
200
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
120 V
Tension Emetteur Base maximum
120 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Température d'utilisation maximum
+125 °C
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
Transistors petits signaux NPN, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
€ 5,54
€ 0,222 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
25
€ 5,54
€ 0,222 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
25
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
25 - 100 | € 0,222 | € 5,54 |
125 - 225 | € 0,195 | € 4,87 |
250 - 475 | € 0,19 | € 4,75 |
500 - 1225 | € 0,185 | € 4,64 |
1250+ | € 0,181 | € 4,52 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
100 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
120 V
Type de conditionnement
SMini
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
0,15 W
Gain en courant DC minimum
200
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
120 V
Tension Emetteur Base maximum
120 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Température d'utilisation maximum
+125 °C
Pays d'origine
Japan
Détails du produit