Diode Montage panneau Vishay, 120A, 1200V, SOT-227
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de montage
Panel Mount
Type de conditionnement
SOT-227
Courant direct continu maximum
120A
Tension inverse de crête répétitive
1200V
Configuration de diode
Isolated
Type de redressement
Redresseur à recouvrement
Type diode
Redresseur
Nombre de broche
4
Chute minimale de tension directe
5.3V
Nombre d'éléments par circuit
2
Technologie de diode
Jonction au silicium
Temps de recouvrement inverse crête
218ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
350A
Pays d'origine
Philippines
Détails du produit
Redresseurs à récupération ultra-rapide HEXFRED®, Vishay Semiconductor
La gamme de produits HEXFRED® de Vishay sont des redresseurs de récupération ultra-rapides qui contiennent une technologie planaire ultra-rapide avec une structure intérieure propriétaire basée sur la barrière Schottky qui permet un comportement de récupération rapide et souple à n'importe quelle condition de diF/dt. Ces caractéristiques signifient que les produits HEXFRED® sont bien adaptés pour une utilisation comme diode d'accompagnement pour les IGBT et MOSFET.
Caractéristiques
Temps de récupération ultra-rapide
Récupération ultra-douce
Très faible IRRM
Très faible Qrr
Réduit les interférences de fréquence radio (RFI) et électromagnétiques (EMI)
Perte de puissance réduite dans la diode et le transistor de commutation
Butée réduite
Diodes and Rectifiers, Vishay Semiconductor
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Prix sur demande
Each (In a Box of 10) (hors TVA)
10
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Configuration de diode
Isolated
Type de redressement
Redresseur à recouvrement
Type diode
Redresseur
Nombre de broche
4
Chute minimale de tension directe
5.3V
Nombre d'éléments par circuit
2
Technologie de diode
Jonction au silicium
Temps de recouvrement inverse crête
218ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
350A
Pays d'origine
Philippines
Détails du produit
Redresseurs à récupération ultra-rapide HEXFRED®, Vishay Semiconductor
La gamme de produits HEXFRED® de Vishay sont des redresseurs de récupération ultra-rapides qui contiennent une technologie planaire ultra-rapide avec une structure intérieure propriétaire basée sur la barrière Schottky qui permet un comportement de récupération rapide et souple à n'importe quelle condition de diF/dt. Ces caractéristiques signifient que les produits HEXFRED® sont bien adaptés pour une utilisation comme diode d'accompagnement pour les IGBT et MOSFET.
Caractéristiques
Temps de récupération ultra-rapide
Récupération ultra-douce
Très faible IRRM
Très faible Qrr
Réduit les interférences de fréquence radio (RFI) et électromagnétiques (EMI)
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