Module IGBT, MII200-12A4, , 270 A, 1200 V, Y3 DCB, 7 broches, Série
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSCourant continu de Collecteur maximum
270 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
1200 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Type de boîtier
Y3 DCB
Format
Series
Type de montage
Screw Mount
Type de canal
N
Nombre de broches
7
Configuration du transistor
Series
Dimensions
110 x 62 x 30mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Modules IGBT, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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Prix sur demande
1
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Y3 DCB
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Series
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N
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7
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Series
Dimensions
110 x 62 x 30mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
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150 °C
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Modules IGBT, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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