Résistance photosensible (LDR), Silonex, NORPS-12, CdS, Traversant, TO-18, 5.4 kΩ → 12.6 kΩ
Documents techniques
Spécifications
Brand
SilonexMinimum Light Resistance
5.4 kΩ
Dark Resistance
1MΩ
Temps de chute
55ms
Temps de croissance
45ms
Resistor Material
CdS
Nombre de broches
2
Type de montage
Through Hole
Type de conditionnement
TO-18
Maximum Light Resistance
12.6kΩ
Température maximum d'utilisation
+75°C
Température d'utilisation minimale
-60°C
Plage de fréquence de fonctionnement
-60 → +75°C
Tension nominale
250 V
Light Resistance Range
5.4 kΩ → 12.6 kΩ
Puissance dissipée
50mW
Pays d'origine
China
Prix sur demande
1
Prix sur demande
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Spécifications
Brand
SilonexMinimum Light Resistance
5.4 kΩ
Dark Resistance
1MΩ
Temps de chute
55ms
Temps de croissance
45ms
Resistor Material
CdS
Nombre de broches
2
Type de montage
Through Hole
Type de conditionnement
TO-18
Maximum Light Resistance
12.6kΩ
Température maximum d'utilisation
+75°C
Température d'utilisation minimale
-60°C
Plage de fréquence de fonctionnement
-60 → +75°C
Tension nominale
250 V
Light Resistance Range
5.4 kΩ → 12.6 kΩ
Puissance dissipée
50mW
Pays d'origine
China