JFET, BF861C,215, Canal-N, 25 V Simple SOT-23 (TO-236AB), 3 broches Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
NXPType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
12 to 25mA
Tension Drain Source maximum
25 V
Tension Grille Source maximum
+25 V
Tension Drain Grille maximum
25V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Type de fixation
CMS
Type de conditionnement
SOT-23 (TO-236AB)
Nombre de broche
3
Dimensions
3 x 1.4 x 1mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Hauteur
1mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3mm
Largeur
1.4mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor JFET canal N, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
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N
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25 V
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+25 V
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25V
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Single
Format
Single
Type de fixation
CMS
Type de conditionnement
SOT-23 (TO-236AB)
Nombre de broche
3
Dimensions
3 x 1.4 x 1mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Hauteur
1mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3mm
Largeur
1.4mm
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China
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