Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
-15 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-250 V
Type de boîtier
TO-3P
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
200000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
250 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
1 MHz
Nombre de broches
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
15.8 x 5 x 20.1mm
Détails du produit
Transistors de puissance PNP, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
5
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
-15 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-250 V
Type de boîtier
TO-3P
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
200000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
250 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
1 MHz
Nombre de broches
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
15.8 x 5 x 20.1mm
Détails du produit
Transistors de puissance PNP, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.