Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de fixation
Through Hole
Type de conditionnement
DO-41SS
Courant direct continu maximum
1A
Tension inverse de crête répétitive
1000V
Configuration de diode
Single
Type diode
Silicon Junction
Nombre de broche
2
Chute minimale de tension directe
1.1V
Nombre d'éléments par circuit
1
Diamètre
2.7mm
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
30A
Prix sur demande
1
Prix sur demande
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Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de fixation
Through Hole
Type de conditionnement
DO-41SS
Courant direct continu maximum
1A
Tension inverse de crête répétitive
1000V
Configuration de diode
Single
Type diode
Silicon Junction
Nombre de broche
2
Chute minimale de tension directe
1.1V
Nombre d'éléments par circuit
1
Diamètre
2.7mm
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
30A