Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
17 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
250 V
Type de boîtier
TO-264
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
150000 mW
Gain en courant DC minimum
80
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
250 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
30 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
20 x 5 x 26mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors NPN de puissance, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
€ 72,05
€ 2,882 Each (In a Tube of 25) (hors TVA)
25
€ 72,05
€ 2,882 Each (In a Tube of 25) (hors TVA)
25
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Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
---|---|---|
25 - 100 | € 2,882 | € 72,05 |
125 - 225 | € 2,452 | € 61,30 |
250+ | € 2,388 | € 59,71 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
17 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
250 V
Type de boîtier
TO-264
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
150000 mW
Gain en courant DC minimum
80
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
250 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
30 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
20 x 5 x 26mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors NPN de puissance, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.