Diode Schottky 30V 200mA Com.Anode SOT23

N° de stock RS: 781-3926PMarque: onsemiN° de pièce Mfr: BAT54ALT1G
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Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Type de fixation

CMS

Type de conditionnement

TO-236

Courant direct continu maximum

200mA

Tension inverse de crête répétitive

30V

Configuration de diode

Anode commune

Type de redressement

Schottky Diode

Type diode

Schottky

Nombre de broche

3

Chute minimale de tension directe

240mV

Nombre d'éléments par circuit

2

Technologie de diode

Barrière Schottky

Temps de recouvrement inverse crête

5ns

courant direct de surcharge non-répétitif de crête

600mA

Détails du produit

Diodes barrières Schottky d on Semiconductor

Ce redresseur on Semiconductor Schottky utilise le principe de barrière Schottky à l'aide d'une barrière métallique pour créer le meilleur échange de courant inverse de chute de tension directe. Adapté pour une rectification basse tension et haute fréquence, ainsi qu'une diode de protection contre la roue libre et la polarité dans une large gamme d'applications à montage en surface où une taille et un poids plus compacts sont essentiels.

• Sans plomb
• Conçu pour l'assemblage de carte automatisé optimal
Protection contre les contraintes
Boîtier moulé en époxy
Boîtier léger 11,7 mg

Standards

Products with NSV-, SBR- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.

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€ 15,00

€ 0,03 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Bobine
500 - 900€ 0,03€ 3,00
1000+€ 0,026€ 2,60

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Schottky

Nombre de broche

3

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2

Technologie de diode

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Temps de recouvrement inverse crête

5ns

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600mA

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