Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
100 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
30 V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
300 mW
Gain en courant DC minimum
420
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
30 V dc
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
100 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Pays d'origine
China
€ 39,89
€ 0,04 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
1000
€ 39,89
€ 0,04 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
1000
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Brand
onsemiType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
100 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
30 V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
300 mW
Gain en courant DC minimum
420
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
30 V dc
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
100 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Pays d'origine
China