IGBT, FGH80N60FD2TU, , 80 A, 600 V, TO-247, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiCourant continu de Collecteur maximum
80 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
600 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
290 W
Type de boîtier
TO-247
Type de fixation
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broches
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
15.6 x 4.7 x 20.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
IGBT discrets, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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Prix sur demande
Paquet de production (Tube)
1
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N
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Dimensions
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-55 °C
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China
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IGBT discrets, Fairchild Semiconductor
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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