IGBT, FGH80N60FD2TU, , 80 A, 600 V, TO-247, 3 broches, Simple

N° de stock RS: 759-9295PMarque: onsemiN° de pièce Mfr: FGH80N60FD2TU
brand-logo
Tout voir dans IGBTs

Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Courant continu de Collecteur maximum

80 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

600 V

Tension Grille Emetteur maximum

±20V

Dissipation de puissance maximum

290 W

Type de boîtier

TO-247

Type de fixation

Through Hole

Type de canal

N

Nombre de broches

3

Configuration du transistor

Single

Dimensions

15.6 x 4.7 x 20.6mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Température d'utilisation maximum

150 °C

Pays d'origine

China

Détails du produit

IGBT discrets, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

Prix ​​sur demande

IGBT, FGH80N60FD2TU, , 80 A, 600 V, TO-247, 3 broches, Simple
Sélectionner le type d'emballage

Prix ​​sur demande

IGBT, FGH80N60FD2TU, , 80 A, 600 V, TO-247, 3 broches, Simple

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Sélectionner le type d'emballage

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Courant continu de Collecteur maximum

80 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

600 V

Tension Grille Emetteur maximum

±20V

Dissipation de puissance maximum

290 W

Type de boîtier

TO-247

Type de fixation

Through Hole

Type de canal

N

Nombre de broches

3

Configuration du transistor

Single

Dimensions

15.6 x 4.7 x 20.6mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Température d'utilisation maximum

150 °C

Pays d'origine

China

Détails du produit

IGBT discrets, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus