Photo diode, OSI Optoelectronics, Infrarouge, Si, Traversant, boîtier TO-8
Documents techniques
Spécifications
Brand
OSI OptoelectronicsSpectres détectés
Infrared
Pic de sensibilité de longueur d'onde
436nm
Type de conditionnement
TO-8
Type de montage
Through Hole
Fonction d'amplificateur
No
Nombre de broches
3
Matériau de la diode
Si
Longueur d'onde minimum détectée
350nm
Longueur d'onde maximum détectée
1100nm
Taille
0.17in
Diamètre
13.97mm
Photosensibilité de pointe
0.21A/W
Série
OSD
Polarité
Inverse
Temps de croissance
30µs
Pays d'origine
Malaysia
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€ 167,17
€ 167,17 Each (hors TVA)
1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 1 | € 167,17 |
| 2 - 4 | € 162,83 |
| 5+ | € 158,82 |
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No
Nombre de broches
3
Matériau de la diode
Si
Longueur d'onde minimum détectée
350nm
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Taille
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Diamètre
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