Photo diode, OSI Optoelectronics, Infrarouge, Si, Traversant, boîtier TO-5
Documents techniques
Spécifications
Brand
OSI OptoelectronicsSpectres détectés
Infrared
Pic de sensibilité de longueur d'onde
410nm
Type de conditionnement
TO-5
Type de montage
Through Hole
Fonction d'amplificateur
No
Nombre de broches
2
Matériau de la diode
Si
Longueur d'onde minimum détectée
350nm
Longueur d'onde maximum détectée
1100nm
Hauteur
0.18in
Diamètre
9.14mm
Photosensibilité de pointe
0.2A/W
Série
PIN
Polarité
Inverse
Temps de croissance
0.2µs
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€ 296,48
€ 29,648 Each (In a Tray of 10) (hors TVA)
10
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| Quantité | Prix unitaire | Par Plateau |
|---|---|---|
| 10 - 10 | € 29,648 | € 296,48 |
| 20+ | € 28,551 | € 285,51 |
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No
Nombre de broches
2
Matériau de la diode
Si
Longueur d'onde minimum détectée
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Longueur d'onde maximum détectée
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Hauteur
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