Photo diode, OSI Optoelectronics, Infrarouge, Si, Traversant, boîtier TO-8
Documents techniques
Spécifications
Brand
OSI OptoelectronicsSpectres détectés
Infrared
Spectrum(s) Detected
Infrared
Pic de sensibilité de longueur d'onde
970nm
Type de conditionnement
TO-8
Type de montage
Through Hole
Fonction d'amplificateur
No
Nombre de broches
2
Matériau de la diode
Si
Longueur d'onde minimum détectée
350nm
Longueur d'onde maximum détectée
1100nm
Hauteur
0.205in
Diamètre
13.97mm
Photosensibilité de pointe
0.65A/W
Série
PIN
Polarité
Inverse
Temps de croissance
17ns
Pays d'origine
Malaysia
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€ 40,62
€ 40,62 Each (hors TVA)
1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 1 | € 40,62 |
| 2 - 4 | € 39,28 |
| 5+ | € 36,68 |
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Through Hole
Fonction d'amplificateur
No
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2
Matériau de la diode
Si
Longueur d'onde minimum détectée
350nm
Longueur d'onde maximum détectée
1100nm
Hauteur
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