Photo diode, OSI Optoelectronics, Ultraviolet, Si, Traversant, boîtier TO-8
Documents techniques
Spécifications
Brand
OSI OptoelectronicsSpectres détectés
Ultraviolet
Spectrum(s) Detected
Ultraviolet
Pic de sensibilité de longueur d'onde
720nm
Type de conditionnement
TO-8
Type de montage
Through Hole
Fonction d'amplificateur
No
Nombre de broches
2
Matériau de la diode
Si
Hauteur
5.21mm
Diamètre
13.97mm
Photosensibilité de pointe
0.14A/W
Polarité
Inverse
Détails du produit
Photodiodes de la série UV Enhanced d'OSI
La série UV Enhanced d'OSI Optoelectronics est composée de photodiodes planaires au silicium à protection renforcées contre les UV. Cette série comprend deux familles de photodiodes séparées, à canal d'inversion et planaires diffusées. Ces deux familles sont conçues pour la détection de faible bruit dans la zone UV du spectre électromagnétique.
La famille à structure à couche d'inversion offre un rendement quantique interne de 100 %. Avec une résistance shunt élevée, un faible bruit et des tensions disruptives élevées, cette famille de photodiodes sont idéales pour les mesures de lumière de faible intensité.
Les photodiodes à structure planaire diffusée offrent une capacité inférieure et un temps de réponse plus long par rapport à la famille à inversion. La linéarité de leur photocourant va également jusqu'à une puissance d'entrée de lumière plus élevée par rapport aux photodiodes à couche d'inversion.
Applications adaptées à la série UV Enhanced : contrôle de la pollution, instruments médicaux, appareils exposés aux UV, spectroscopie, purification de l'eau et fluorescence.
Caractéristiques de la série UV Enhanced :
Photodiodes au silicium à couches d'inversion ou planaires
Excellente réponse aux UV
Photodiodes, OSI Optoelectronics
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€ 301,89
€ 60,378 Each (In a Tray of 5) (hors TVA)
5
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Fonction d'amplificateur
No
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2
Matériau de la diode
Si
Hauteur
5.21mm
Diamètre
13.97mm
Photosensibilité de pointe
0.14A/W
Polarité
Inverse
Détails du produit
Photodiodes de la série UV Enhanced d'OSI
La série UV Enhanced d'OSI Optoelectronics est composée de photodiodes planaires au silicium à protection renforcées contre les UV. Cette série comprend deux familles de photodiodes séparées, à canal d'inversion et planaires diffusées. Ces deux familles sont conçues pour la détection de faible bruit dans la zone UV du spectre électromagnétique.
La famille à structure à couche d'inversion offre un rendement quantique interne de 100 %. Avec une résistance shunt élevée, un faible bruit et des tensions disruptives élevées, cette famille de photodiodes sont idéales pour les mesures de lumière de faible intensité.
Les photodiodes à structure planaire diffusée offrent une capacité inférieure et un temps de réponse plus long par rapport à la famille à inversion. La linéarité de leur photocourant va également jusqu'à une puissance d'entrée de lumière plus élevée par rapport aux photodiodes à couche d'inversion.
Applications adaptées à la série UV Enhanced : contrôle de la pollution, instruments médicaux, appareils exposés aux UV, spectroscopie, purification de l'eau et fluorescence.
Caractéristiques de la série UV Enhanced :
Photodiodes au silicium à couches d'inversion ou planaires
Excellente réponse aux UV
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