Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de montage
CMS
Type d'emballage
USC
Courant direct continu maximum
300mA
Tension inverse de crête répétitive
40V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Schottky Diode
Type diode
Schottky
Nombre de broche
2
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
Barrière Schottky
Temps de recouvrement inverse crête
5ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
1A
Pays d'origine
China
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, STMicroelectronics
Haute puissance, haut rendement et haute densité.
Diodes and Rectifiers, STMicroelectronics
€ 93,64
€ 0,031 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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3000
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300mA
Tension inverse de crête répétitive
40V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Schottky Diode
Type diode
Schottky
Nombre de broche
2
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
Barrière Schottky
Temps de recouvrement inverse crête
5ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
1A
Pays d'origine
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Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, STMicroelectronics
Haute puissance, haut rendement et haute densité.