IGBT, GH50H65DRB2-7AG, , 108 A, 650 V, H2PAK-7, 7 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum
108 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
650 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Nombre de transistors
1
Dissipation de puissance maximum
385 W
Type de conditionnement
H²PAK-7
Type de montage
CMS
Nombre de broche
7
Pays d'origine
China
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Prix sur demande
Paquet de production (Bobine)
1
Prix sur demande
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
1
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum
108 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
650 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Nombre de transistors
1
Dissipation de puissance maximum
385 W
Type de conditionnement
H²PAK-7
Type de montage
CMS
Nombre de broche
7
Pays d'origine
China
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.