Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de conditionnement
A-220
Séries
MDmesh
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
165 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
35 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
60 nC V @ 10
Largeur
4.6mm
Taille
16.4mm
Détails du produit
Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 5,68
€ 5,68 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
1
€ 5,68
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Paquet de production (Tube)
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STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de conditionnement
A-220
Séries
MDmesh
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
165 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
35 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
60 nC V @ 10
Largeur
4.6mm
Taille
16.4mm
Détails du produit