IGBT, STGD19N40LZ, , 25 A, 425 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum
25 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
425 V
Tension Grille Emetteur maximum
±16V
Dissipation de puissance maximum
125 W
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Type de canal
N
Nombre de broches
3
Vitesse de découpage
1MHz
Configuration du transistor
Single
Dimensions
6.6 x 6.2 x 2.4mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
5
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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5
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3
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Single
Dimensions
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Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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