Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum
25 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
600 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Type de conditionnement
A-220
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broches
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
€ 39,15
€ 0,783 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 39,15
€ 0,783 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
---|---|---|
50 - 50 | € 0,783 | € 39,16 |
100 - 450 | € 0,67 | € 33,49 |
500 - 950 | € 0,652 | € 32,61 |
1000 - 4950 | € 0,636 | € 31,79 |
5000+ | € 0,619 | € 30,97 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum
25 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
600 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Type de conditionnement
A-220
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broches
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.