IGBT, STGW60V60DF, , 60 A, 600 V, A-247, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum
60 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
600 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
375 W
Type de conditionnement
A-247
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
1MHz
Configuration du transistor
Single
Dimensions
15.75 x 5.15 x 20.15mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 22,48
€ 4,497 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 4,497 | € 22,48 |
| 10 - 20 | € 4,273 | € 21,36 |
| 25 - 45 | € 3,847 | € 19,24 |
| 50+ | € 3,824 | € 19,12 |
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Dissipation de puissance maximum
375 W
Type de conditionnement
A-247
Type de montage
Through Hole
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N
Nombre de broche
3
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1MHz
Configuration du transistor
Single
Dimensions
15.75 x 5.15 x 20.15mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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