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Diode traversante Vishay, 50A, 600V, TO-247AC

N° de stock RS: 165-2478Marque: VishayN° de pièce Mfr: VS-HFA50PA60C-N3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de fixation

Through Hole

Type de conditionnement

TO-247AC

Courant direct continu maximum

50A

Tension inverse de crête répétitive

600V

Configuration de diode

Cathode commune

Type de redressement

Redresseur à recouvrement

Type diode

Redresseur

Nombre de broche

3

Chute minimale de tension directe

2V

Nombre d'éléments par circuit

2

Technologie de diode

Jonction au silicium

Temps de recouvrement inverse crête

75ns

courant direct de surcharge non-répétitif de crête

225A

Détails du produit

Redresseurs à récupération ultra-rapide HEXFRED®, Vishay Semiconductor

La gamme de produits HEXFRED® de Vishay sont des redresseurs de récupération ultra-rapides qui contiennent une technologie planaire ultra-rapide avec une structure intérieure propriétaire basée sur la barrière Schottky qui permet un comportement de récupération rapide et souple à n'importe quelle condition de diF/dt. Ces caractéristiques signifient que les produits HEXFRED® sont bien adaptés pour une utilisation comme diode d'accompagnement pour les IGBT et MOSFET.

Caractéristiques

Temps de récupération ultra-rapide
Récupération ultra-douce
Très faible IRRM
Très faible Qrr
Réduit les interférences de fréquence radio (RFI) et électromagnétiques (EMI)
Perte de puissance réduite dans la diode et le transistor de commutation
Butée réduite

Diodes and Rectifiers, Vishay Semiconductor

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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

€ 158,10

€ 6,324 Each (In a Tube of 25) (hors TVA)

Diode traversante Vishay, 50A, 600V, TO-247AC

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QuantitéPrix unitairePar Tube
25 - 25€ 6,324€ 158,10
50 - 100€ 5,692€ 142,30
125+€ 5,376€ 134,39

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Configuration de diode

Cathode commune

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Type diode

Redresseur

Nombre de broche

3

Chute minimale de tension directe

2V

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2

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75ns

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225A

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La gamme de produits HEXFRED® de Vishay sont des redresseurs de récupération ultra-rapides qui contiennent une technologie planaire ultra-rapide avec une structure intérieure propriétaire basée sur la barrière Schottky qui permet un comportement de récupération rapide et souple à n'importe quelle condition de diF/dt. Ces caractéristiques signifient que les produits HEXFRED® sont bien adaptés pour une utilisation comme diode d'accompagnement pour les IGBT et MOSFET.

Caractéristiques

Temps de récupération ultra-rapide
Récupération ultra-douce
Très faible IRRM
Très faible Qrr
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Butée réduite

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