Module thyristor dual Vishay, 160A, 270mA, 1200V, INT-A-PAK, 7 broches

N° de stock RS: 395-8384Marque: VishayN° de pièce Mfr: VS-VSKT162/12PBF
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Courant moyen à l'état passant

160A

Type de Thyristor

IGBT

Type de boîtier

INT-A-PAK

Tension inverse de crête Répétitive

1200V

Courant de surcharge

5.1kA

Type de montage

Panel Mount

Courant de déclenchement de Grille maximum

270mA

Tension de déclenchement de Grille maximum

4V

Courant de maintien maximum

200mA

Nombre de broche

7

Dimensions

94 x 35 x 30mm

Tension directe de crête répétitive à l'état bloqué

1200V

Température d'utilisation maximum

+125 °C

Courant de crête répétitif à l'état bloqué

50mA

Tension de crête à l'état passant

1.54V

Température de fonctionnement minimum

-40 °C

Détails du produit

Thyristor/thyristor série VS-VSKT, modules INT-A-PAK, Vishay Semiconductor

Configuration à deux thyristors (RCS)
Tension d'isolation 3 500 VRMS à la base métallique
Boîtier standard INT-A-PAK
Haute capacité de surtension

Approvals

UL approved file E78996

Thyristors - Vishay Semiconductor

A Thyristor is a solid-state semiconductor device with four layers of alternating N and P-type material. They act as bistable switches, conducting when their gate receives a current trigger, and continue to conduct while they are forward biased. Thyristors are synonymous to Silicon-Controlled Rectifier (SCR).
Encapsulated modules with electrically isolated base plate. Suitable for applications such as battery chargers, welders and plating equipment, regulated power supplies and temperature and speed control circuits.

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€ 72,10

€ 72,10 Each (hors TVA)

Module thyristor dual Vishay, 160A, 270mA, 1200V, INT-A-PAK, 7 broches

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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

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QuantitéPrix unitaire
1 - 1€ 72,10
2 - 4€ 70,65
5 - 9€ 64,87
10+€ 57,67

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1200V

Courant de surcharge

5.1kA

Type de montage

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Courant de déclenchement de Grille maximum

270mA

Tension de déclenchement de Grille maximum

4V

Courant de maintien maximum

200mA

Nombre de broche

7

Dimensions

94 x 35 x 30mm

Tension directe de crête répétitive à l'état bloqué

1200V

Température d'utilisation maximum

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Courant de crête répétitif à l'état bloqué

50mA

Tension de crête à l'état passant

1.54V

Température de fonctionnement minimum

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Configuration à deux thyristors (RCS)
Tension d'isolation 3 500 VRMS à la base métallique
Boîtier standard INT-A-PAK
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A Thyristor is a solid-state semiconductor device with four layers of alternating N and P-type material. They act as bistable switches, conducting when their gate receives a current trigger, and continue to conduct while they are forward biased. Thyristors are synonymous to Silicon-Controlled Rectifier (SCR).
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