Documents techniques
Spécifications
Type de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
12 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
700 V
Type de conditionnement
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
80 W
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
700 V
Fréquence de fonctionnement maximum
60 Hz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
10.3 x 4.5 x 15.8mm
Détails du produit
Transistors haute tension, en Semiconductors
Bipolar Transistors, WeEn Semiconductors
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
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Type de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
12 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
700 V
Type de conditionnement
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
80 W
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
700 V
Fréquence de fonctionnement maximum
60 Hz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
10.3 x 4.5 x 15.8mm
Détails du produit