IGBT, IHW30N135R3FKSA1, , 30 A, 1350 V, A-247, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonCourant continu de Collecteur maximum
30 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
1 350 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
349 W
Type de boîtier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Capacité de grille
2066pF
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Détails du produit
Transistors IGBT TrenchStop d'Infineon, 1 100 à 1 600 V
Une gamme de transistors IGBT d'Infineon avec des tensions nominales du collecteur-émetteur de 1 100 à 1 600 V comportant la technologie TrenchStop™. La gamme comprend des circuits avec diode intégrée haute vitesse, antiparallèle à récupération rapide.
• Plage de tensions de l'émetteur-collecteur 1 100 à 1 600 V
• VCEsat très faible
• Pertes de mise hors tension faibles
• Courant d'extrémité court
• IEM faible
• Température de jonction maximale 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 14,58
€ 4,861 Each (In a Pack of 3) (hors TVA)
Standard
3
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 3 - 12 | € 4,861 | € 14,58 |
| 15 - 27 | € 4,374 | € 13,12 |
| 30 - 72 | € 4,085 | € 12,26 |
| 75 - 147 | € 3,791 | € 11,37 |
| 150+ | € 3,498 | € 10,49 |
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1 350 V
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349 W
Type de boîtier
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Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Capacité de grille
2066pF
Température d'utilisation maximum
+175 °C
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• VCEsat très faible
• Pertes de mise hors tension faibles
• Courant d'extrémité court
• IEM faible
• Température de jonction maximale 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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