Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorCourant continu de Collecteur maximum
80 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
1200 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
260 W
Type de boîtier
TO-247
Type de fixation
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broches
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
16.26 x 5.3 x 21.08mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Prix sur demande
1
Prix sur demande
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1
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Spécifications
Brand
ON SemiconductorCourant continu de Collecteur maximum
80 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
1200 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
260 W
Type de boîtier
TO-247
Type de fixation
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broches
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
16.26 x 5.3 x 21.08mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C