Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
10 to 17mA
Tension Drain Source maximum
15 V
Tension Drain Grille maximum
-15V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Type de montage
CMS
Type d'emballage
CP
Nombre de broche
3
Capacitance Drain Grille
10pF
Capacitance Source Grille ON
3pF
Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Hauteur
1.1mm
Largeur
1.5mm
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 8,83
€ 0,353 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Standard
25
€ 8,83
€ 0,353 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
25
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Quantité | Prix unitaire | Par Bande |
---|---|---|
25 - 75 | € 0,353 | € 8,83 |
100 - 225 | € 0,305 | € 7,62 |
250 - 475 | € 0,263 | € 6,58 |
500 - 975 | € 0,232 | € 5,80 |
1000+ | € 0,211 | € 5,28 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
10 to 17mA
Tension Drain Source maximum
15 V
Tension Drain Grille maximum
-15V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Type de montage
CMS
Type d'emballage
CP
Nombre de broche
3
Capacitance Drain Grille
10pF
Capacitance Source Grille ON
3pF
Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Hauteur
1.1mm
Largeur
1.5mm
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.