IGBT, FGD3040G2-F085, , 41 A, 300 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiCourant continu de Collecteur maximum
41 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
300 V
Tension Grille Emetteur maximum
±10V
Dissipation de puissance maximum
150 W
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
1MHz
Configuration du transistor
Single
Dimensions
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Détails du produit
IGBT d'allumage automobile, Fairchild Semiconductor
Ces dispositifs IGBT EcoSPARK sont optimisés pour la commande des bobines d'allumage automobile. Ils ont été testés pour satisfaire aux contraintes et sont conformes à la norme AEC-Q101.
Caractéristiques
• Commande de grille de niveau logique
• Protection ESD
• Applications : circuits de commande de bobine d'allumage automobile, applications bobine sur fiche
Codes de produit RS
864-8802 : FGB3040CS 400 V 20 A D2PAK
864-8805 : FGD3040G2_F085 400 V 25 A DPAK-2
807-0767 : FGD3040G2_F085 400 V 25 A DPAK
864-8880 : FGI3040G2_F085 400 V 25 A I2PAK
864-8899 : FGP3040G2_F085 400 V 25 A TO220
864-8809 : FGB3245G2_F085 450 V 23 A D2PAK-2
864-8827 : FGD3245G2_F085 450 V 23 A DPAK
807-0776 : FGD3440G2_F085 400 V 25 A DPAK
864-8818 : FGB3440G2_F085 400 V 25 A D2PAK-2
864-8893 : FGP3440G2_F085 400 V 25 A TO220
807-8751 ISL9V5036P3_F085 360 V 31 A TO220
862-9369 ISL9V5045S3ST_F085 450 V 43 A D2PAK
Standards
AEC-Q101
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 2 389,60
€ 0,956 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
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Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Type de canal
N
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3
Vitesse de découpage
1MHz
Configuration du transistor
Single
Dimensions
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Détails du produit
IGBT d'allumage automobile, Fairchild Semiconductor
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Caractéristiques
• Commande de grille de niveau logique
• Protection ESD
• Applications : circuits de commande de bobine d'allumage automobile, applications bobine sur fiche
Codes de produit RS
864-8802 : FGB3040CS 400 V 20 A D2PAK
864-8805 : FGD3040G2_F085 400 V 25 A DPAK-2
807-0767 : FGD3040G2_F085 400 V 25 A DPAK
864-8880 : FGI3040G2_F085 400 V 25 A I2PAK
864-8899 : FGP3040G2_F085 400 V 25 A TO220
864-8809 : FGB3245G2_F085 450 V 23 A D2PAK-2
864-8827 : FGD3245G2_F085 450 V 23 A DPAK
807-0776 : FGD3440G2_F085 400 V 25 A DPAK
864-8818 : FGB3440G2_F085 400 V 25 A D2PAK-2
864-8893 : FGP3440G2_F085 400 V 25 A TO220
807-8751 ISL9V5036P3_F085 360 V 31 A TO220
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Standards
AEC-Q101
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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