Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Idss Drain-source Courant de coupure
1.5 to 20mA
Tension Drain Grille maximum
25V dc
Format
Single
Configuration du transistor
Single
Résistance Drain Source maximum
300 Ω
Type de montage
CMS
Type d'emballage
SOT-23, TO-236
Nombre de broche
3
Capacitance Source Grille ON
11pF
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Largeur
1.4mm
Hauteur
1.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Longueur
3.04mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistor JFET canal P, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 2,01
€ 0,201 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 2,01
€ 0,201 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,201 | € 2,01 |
100 - 240 | € 0,098 | € 0,98 |
250 - 490 | € 0,093 | € 0,94 |
500 - 990 | € 0,088 | € 0,88 |
1000+ | € 0,072 | € 0,72 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Idss Drain-source Courant de coupure
1.5 to 20mA
Tension Drain Grille maximum
25V dc
Format
Single
Configuration du transistor
Single
Résistance Drain Source maximum
300 Ω
Type de montage
CMS
Type d'emballage
SOT-23, TO-236
Nombre de broche
3
Capacitance Source Grille ON
11pF
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Largeur
1.4mm
Hauteur
1.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Longueur
3.04mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistor JFET canal P, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.