Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonTaille mémoire
4Mbit
Configuration
512K x 8 bit
Type d'interface
SPI
Largeur de bus de données
8bit
Temps d'accès aléatoire maximum
16ns
Type de fixation
CMS
Type de boîtier
SOIC W
Nombre de broches
8
Dimensions
5.33 x 5.33 x 1.78mm
Longueur
5.33mm
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Largeur
5.33mm
Taille
1.78mm
Température d'utilisation maximum
85 °C
Nombre de bits par mot
8bit
Nombre de mots
512K
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2 V
Détails du produit
FRAM, Cypress Semiconductor
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) est éco-énergétique et offre la plus grande fiabilité en termes de RAM non volatile à la fois pour les interfaces série et parallèle. Les pièces avec le suffixe A sont conçues pour les applications automobiles et sont certifiées AEC-Q100.
Mémoire vive ferroélectrique non volatile
Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
Faible consommation électrique
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
€ 21,65
€ 21,65 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 21,65
€ 21,65 Each (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Quantité | Prix unitaire |
---|---|
1 - 4 | € 21,65 |
5 - 9 | € 19,75 |
10 - 49 | € 19,23 |
50 - 187 | € 18,74 |
188+ | € 18,27 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonTaille mémoire
4Mbit
Configuration
512K x 8 bit
Type d'interface
SPI
Largeur de bus de données
8bit
Temps d'accès aléatoire maximum
16ns
Type de fixation
CMS
Type de boîtier
SOIC W
Nombre de broches
8
Dimensions
5.33 x 5.33 x 1.78mm
Longueur
5.33mm
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Largeur
5.33mm
Taille
1.78mm
Température d'utilisation maximum
85 °C
Nombre de bits par mot
8bit
Nombre de mots
512K
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2 V
Détails du produit
FRAM, Cypress Semiconductor
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) est éco-énergétique et offre la plus grande fiabilité en termes de RAM non volatile à la fois pour les interfaces série et parallèle. Les pièces avec le suffixe A sont conçues pour les applications automobiles et sont certifiées AEC-Q100.
Mémoire vive ferroélectrique non volatile
Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
Faible consommation électrique
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.