Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
10 A (crête), 6 A (continu)
Tension Collecteur Emetteur maximum
100 V dc
Tension Emetteur Base maximum
5 V dc
Type de boîtier
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Nombre d'éléments par circuit
1
Gain en courant DC minimum
15
Tension Collecteur Base maximum
100 V dc
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
1.5 V dc
Courant de coupure Collecteur maximum
400µA
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10.53mm
Courant de base
2A
Dimensions
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Hauteur
15.75mm
Largeur
4.83mm
Dissipation de puissance maximum
65 W
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Pays d'origine
China
Prix sur demande
Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
Prix sur demande
Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
50
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
10 A (crête), 6 A (continu)
Tension Collecteur Emetteur maximum
100 V dc
Tension Emetteur Base maximum
5 V dc
Type de boîtier
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Nombre d'éléments par circuit
1
Gain en courant DC minimum
15
Tension Collecteur Base maximum
100 V dc
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
1.5 V dc
Courant de coupure Collecteur maximum
400µA
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10.53mm
Courant de base
2A
Dimensions
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Hauteur
15.75mm
Largeur
4.83mm
Dissipation de puissance maximum
65 W
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Pays d'origine
China