Phototransistor, ams OSRAM, Infrarouge, SFH 320 FA-4-Z, 120 °, Montage en surface, boîtier PLCC
Documents techniques
Spécifications
Brand
ams OSRAMSpectres détectés
Infrared
Temps de chute
7µs
Temps de croissance
7µs
Nombre de voies
1
Courant photoélectrique maximum
1000µA
Courant d'obscurité maximum
50nA
Angle de sensibilité moyenne
120 °
Polarité
NPN
Nombre de broches
2
Type de fixation
Surface Mount
Type d'emballage
PLCC
Dimensions
3.4 x 3 x 2mm
Courant de collecteur
15mA
Longueur d'onde minimum détectée
750nm
Longueur d'onde maximum détectée
1120nm
Gamme spectrale de sensibilité
750 → 1 120 nm
Hauteur
2mm
Longueur
3.4mm
Séries
TOPLED
Largeur
3mm
Détails du produit
Phototransistor - boîtier TOPLED
Cette famille de phototransistors NPN d'OSRAM Opto Semiconductors fait partie de la série TOPLED®. Les phototransistors TOPLED® sont dotés d'un boîtier PLCC-2 à montage en surface avec une lentille transparente ou diffusante de la lumière du jour.
Caractéristiques des phototransistors TOPLED® :
Linéarité élevée
Boîtier PLCC-2
Montage en surface (CMS)
Demi-angle : 60°
Adaptés à toutes les méthodes de soudure
IR Phototransistors, OSRAM Opto Semiconductors
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€ 1,38
€ 0,138 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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50nA
Angle de sensibilité moyenne
120 °
Polarité
NPN
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2
Type de fixation
Surface Mount
Type d'emballage
PLCC
Dimensions
3.4 x 3 x 2mm
Courant de collecteur
15mA
Longueur d'onde minimum détectée
750nm
Longueur d'onde maximum détectée
1120nm
Gamme spectrale de sensibilité
750 → 1 120 nm
Hauteur
2mm
Longueur
3.4mm
Séries
TOPLED
Largeur
3mm
Détails du produit
Phototransistor - boîtier TOPLED
Cette famille de phototransistors NPN d'OSRAM Opto Semiconductors fait partie de la série TOPLED®. Les phototransistors TOPLED® sont dotés d'un boîtier PLCC-2 à montage en surface avec une lentille transparente ou diffusante de la lumière du jour.
Caractéristiques des phototransistors TOPLED® :
Linéarité élevée
Boîtier PLCC-2
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