SRAM CMS Infineon 4Mbit 512 k x 8 bits TSOP 32 broches
Documents techniques
Spécifications
Taille mémoire
4Mbit
Configuration
512K x 8 bit
Nombre de mots
512K
Nombre de bits par mot
8bit
Temps d'accès aléatoire maximum
45ns
Largeur de bus d'adresse
8bit
Fréquence d'horloge
1MHz
Faible consommation
Yes
Type de montage
CMS
Type de boîtier
TSOP I
Nombre de broche
32
Dimensions
21.08 x 10.29 x 1.05mm
Hauteur
1.05mm
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
5.5 V
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
4.5 V
Température d'utilisation maximum
85 °C
Longueur
21.08mm
Largeur
10.29mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Pays d'origine
Taiwan, Province Of China
Détails du produit
Mémoire statique Asynchronous Micropower (MoBL), Cypress Semiconductor
Les dispositifs de mémoire statique faible consommation MoBL fournissent un haut rendement et une spécification de dissipation de consommation en veille (maximum) leader de l'industrie.
SRAM (Static Random Access Memory)
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Prix sur demande
Paquet de production (Plateau)
1
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Dimensions
21.08 x 10.29 x 1.05mm
Hauteur
1.05mm
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
5.5 V
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
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Température d'utilisation maximum
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Longueur
21.08mm
Largeur
10.29mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Pays d'origine
Taiwan, Province Of China
Détails du produit
Mémoire statique Asynchronous Micropower (MoBL), Cypress Semiconductor
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