SRAM CMS Cypress Semiconductor 8Mbit 1 M x 8 bits, 512 k x 16 bits VFBGA 48 broches
Documents techniques
Spécifications
Taille mémoire
8Mbit
Configuration
1M x 8 bits, 512K x 16 bits
Nombre de mots
512K
Nombre de bits par mot
8 bit, 16bit
Temps d'accès aléatoire maximum
45ns
Largeur de bus d'adresse
8 bit, 16 bit
Fréquence d'horloge
1MHz
Faible consommation
Yes
Type de montage
CMS
Type de boîtier
VFBGA
Nombre de broche
48
Dimensions
6 x 8 x 0.79mm
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Hauteur
0.79mm
Température d'utilisation maximum
85 °C
Longueur
6mm
Largeur
8mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2.2 V
Détails du produit
Mémoire statique Asynchronous Micropower (MoBL), Cypress Semiconductor
Les dispositifs de mémoire statique faible consommation MoBL fournissent un haut rendement et une spécification de dissipation de consommation en veille (maximum) leader de l'industrie.
SRAM (Static Random Access Memory)
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Prix sur demande
Standard
1
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Nombre de mots
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Largeur de bus d'adresse
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Fréquence d'horloge
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Yes
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CMS
Type de boîtier
VFBGA
Nombre de broche
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Dimensions
6 x 8 x 0.79mm
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Hauteur
0.79mm
Température d'utilisation maximum
85 °C
Longueur
6mm
Largeur
8mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2.2 V
Détails du produit
Mémoire statique Asynchronous Micropower (MoBL), Cypress Semiconductor
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