Documents techniques
Spécifications
Taille mémoire
8Mbit
Configuration
1 Mb x 8 bits
Nombre de mots
1M
Nombre de bits par mot
8bit
Temps d'accès aléatoire maximum
45ns
Largeur de bus d'adresse
8bit
Fréquence d'horloge
1MHz
Faible consommation
Yes
Type de montage
CMS
Type de boîtier
TSOP I
Nombre de broche
44
Dimensions
18.51 x 10.26 x 1.04mm
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
5.5 V
Hauteur
1.04mm
Largeur
10.26mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
4.5 V
Température d'utilisation maximum
85 °C
Longueur
18.51mm
Pays d'origine
Philippines
Détails du produit
Mémoire statique Asynchronous Micropower (MoBL), Cypress Semiconductor
Les dispositifs de mémoire statique faible consommation MoBL fournissent un haut rendement et une spécification de dissipation de consommation en veille (maximum) leader de l'industrie.
SRAM (Static Random Access Memory)
Prix sur demande
Standard
1
Prix sur demande
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Taille mémoire
8Mbit
Configuration
1 Mb x 8 bits
Nombre de mots
1M
Nombre de bits par mot
8bit
Temps d'accès aléatoire maximum
45ns
Largeur de bus d'adresse
8bit
Fréquence d'horloge
1MHz
Faible consommation
Yes
Type de montage
CMS
Type de boîtier
TSOP I
Nombre de broche
44
Dimensions
18.51 x 10.26 x 1.04mm
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
5.5 V
Hauteur
1.04mm
Largeur
10.26mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
4.5 V
Température d'utilisation maximum
85 °C
Longueur
18.51mm
Pays d'origine
Philippines
Détails du produit
Mémoire statique Asynchronous Micropower (MoBL), Cypress Semiconductor
Les dispositifs de mémoire statique faible consommation MoBL fournissent un haut rendement et une spécification de dissipation de consommation en veille (maximum) leader de l'industrie.


