Documents techniques
Spécifications
Taille mémoire
16Mbit
Nombre de mots
1M, 2M
Nombre de bits par mot
8 bit, 16 bit
Temps d'accès aléatoire maximum
45ns
Largeur de bus d'adresse
20bit
Type de timing
Asynchronous
Type de montage
CMS
Type de boîtier
TSOP I
Nombre de broche
48
Dimensions
12 x 18.4 x 1.05mm
Taille
1.05mm
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2.2 V
Largeur
18.4mm
Longueur
12mm
Température d'utilisation maximum
85 °C
Pays d'origine
Taiwan, Province Of China
Détails du produit
Mémoire RAM statique asynchrone, Cypress Semiconductor
SRAM (Static Random Access Memory)
Prix sur demande
1
Prix sur demande
1
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Documents techniques
Spécifications
Taille mémoire
16Mbit
Nombre de mots
1M, 2M
Nombre de bits par mot
8 bit, 16 bit
Temps d'accès aléatoire maximum
45ns
Largeur de bus d'adresse
20bit
Type de timing
Asynchronous
Type de montage
CMS
Type de boîtier
TSOP I
Nombre de broche
48
Dimensions
12 x 18.4 x 1.05mm
Taille
1.05mm
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2.2 V
Largeur
18.4mm
Longueur
12mm
Température d'utilisation maximum
85 °C
Pays d'origine
Taiwan, Province Of China
Détails du produit