Mémoire FRAM, FM25CL64B-DG, 64Kbit, 8192 x 8 bits, SPI, TDFN, 8 broches, 3,65 V
Documents techniques
Spécifications
Taille mémoire
64kbit
Configuration
8192 x 8 bits
Type d'interface
SPI
Largeur de bus de données
8bit
Type de montage
CMS
Type d'emballage
TDFN
Nombre de broche
8
Dimensions
4.5 x 4 x 0.75mm
Longueur
4.5mm
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.65 V
Largeur
4mm
Taille
0.75mm
Température d'utilisation maximum
85 °C
Nombre de mots
8192
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Nombre de bits par mot
8bit
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2.7 V
Détails du produit
FRAM, Cypress Semiconductor
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) est éco-énergétique et offre la plus grande fiabilité en termes de RAM non volatile à la fois pour les interfaces série et parallèle. Les pièces avec le suffixe A sont conçues pour les applications automobiles et sont certifiées AEC-Q100.
Mémoire vive ferroélectrique non volatile
Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
Faible consommation électrique
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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Prix sur demande
1
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4.5 x 4 x 0.75mm
Longueur
4.5mm
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
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Largeur
4mm
Taille
0.75mm
Température d'utilisation maximum
85 °C
Nombre de mots
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Température de fonctionnement minimum
-40 °C
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8bit
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2.7 V
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FRAM, Cypress Semiconductor
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) est éco-énergétique et offre la plus grande fiabilité en termes de RAM non volatile à la fois pour les interfaces série et parallèle. Les pièces avec le suffixe A sont conçues pour les applications automobiles et sont certifiées AEC-Q100.
Mémoire vive ferroélectrique non volatile
Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
Faible consommation électrique
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FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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