Documents techniques
Spécifications
Taille mémoire
64Mbit
Type d'interface
CFI, Parallèle
Type de boîtier
TSOP-1
Nombre de broche
48
Organizace
4 M x 16 bits, 8 M x 8 bits
Type de montage
CMS
Typ článku
NOR
Minimální provozní napájecí napětí
2.7 V
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Rozměry
18.5 x 12.1 x 1.05mm
Nombre de mots
4M, 8M
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Nombre de bits par mot
8 bit, 16 bit
Betriebstemperatur max.
85 °C
Temps d'accès aléatoire maximum
90ns
Pays d'origine
United States
Détails du produit
Mémoire Flash utilisant la technologie Mirrorbite, Cypress Semiconductor (Spansion)
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tray) (hors TVA)
Paquet de production (Plateau)
5
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tray) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Plateau)
5
Documents techniques
Spécifications
Taille mémoire
64Mbit
Type d'interface
CFI, Parallèle
Type de boîtier
TSOP-1
Nombre de broche
48
Organizace
4 M x 16 bits, 8 M x 8 bits
Type de montage
CMS
Typ článku
NOR
Minimální provozní napájecí napětí
2.7 V
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Rozměry
18.5 x 12.1 x 1.05mm
Nombre de mots
4M, 8M
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Nombre de bits par mot
8 bit, 16 bit
Betriebstemperatur max.
85 °C
Temps d'accès aléatoire maximum
90ns
Pays d'origine
United States
Détails du produit
Mémoire Flash utilisant la technologie Mirrorbite, Cypress Semiconductor (Spansion)
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.


