Mémoire flash, 64Mbit, 4 M x 16 bits, 8 M x 8 bits, CFI, Parallèle, TSOP, 48 broches
Documents techniques
Spécifications
Taille mémoire
64Mbit
Type d'interface
CFI, Parallèle
Type de boîtier
TSOP I
Nombre de broche
48
Configuration
4 M x 16 bits, 8 M x 8 bits
Type de montage
CMS
Type de cellule
NOR
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2.7 V
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Dimensions
18.5 x 12.1 x 1.05mm
Nombre de mots
4M, 8M
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Nombre de bits par mot
8 bit, 16 bit
Température d'utilisation maximum
85 °C
Temps d'accès aléatoire maximum
90ns
Pays d'origine
United States
Détails du produit
Mémoire Flash utilisant la technologie Mirrorbite, Cypress Semiconductor (Spansion)
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tray) (hors TVA)
Paquet de production (Plateau)
5
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CMS
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NOR
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Dimensions
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Nombre de mots
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Température de fonctionnement minimum
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Nombre de bits par mot
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