Documents techniques
Spécifications
Taille mémoire
128Mbit
Type d'interface
CFI, Parallèle
Type de boîtier
TSOP I
Nombre de broches
56
Configuration
8 Mb x 16 bits
Type de fixation
CMS
Type de cellule
NOR
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2.7 V
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Dimensions
18.5 x 14.1 x 1.05mm
Nombre de bits par mot
16bit
Température de fonctionnement maximale
85 °C
Temps d'accès aléatoire maximum
100ns
Nombre de mots
8M
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Détails du produit
Mémoire Flash utilisant la technologie Mirrorbite, Cypress Semiconductor (Spansion)
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Standard
1
Prix sur demande
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
Documents techniques
Spécifications
Taille mémoire
128Mbit
Type d'interface
CFI, Parallèle
Type de boîtier
TSOP I
Nombre de broches
56
Configuration
8 Mb x 16 bits
Type de fixation
CMS
Type de cellule
NOR
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2.7 V
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Dimensions
18.5 x 14.1 x 1.05mm
Nombre de bits par mot
16bit
Température de fonctionnement maximale
85 °C
Temps d'accès aléatoire maximum
100ns
Nombre de mots
8M
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Détails du produit
Mémoire Flash utilisant la technologie Mirrorbite, Cypress Semiconductor (Spansion)
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.


