Mémoire flash, 128Mbit, 8 Mb x 16 bits, CFI, Parallèle, TSOP, 56 broches
Documents techniques
Spécifications
Taille mémoire
128Mbit
Type d'interface
CFI, Parallel
Type de boîtier
TSOP
Nombre de broche
56
Configuration
8 Mb x 16 bits
Type de montage
CMS
Type de cellule
NOR
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
3 V
Tension d'alimentation de fonctionnement maximale
3.6 V
Dimensions
18.5 x 14.1 x 1.05mm
Temps d'accès aléatoire maximum
90ns
Nombre de mots
8M
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Nombre de bits par mot
16bit
Température de fonctionnement maximale
85 °C
Détails du produit
Mémoire Flash utilisant la technologie Mirrorbite, Cypress Semiconductor (Spansion)
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.
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Prix sur demande
Standard
1
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Temps d'accès aléatoire maximum
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8M
Température de fonctionnement minimum
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Nombre de bits par mot
16bit
Température de fonctionnement maximale
85 °C
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