Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de montage
CMS
Type d'emballage
SOT-23, TO-236
Courant direct continu maximum
70mA
Tension inverse de crête répétitive
70V
Configuration de diode
Anode commune
Type de redressement
Schottky Diode
Type diode
Schottky
Nombre de broche
3
Chute minimale de tension directe
1V
Nombre d'éléments par circuit
2
Technologie de diode
Barrière Schottky
Temps de recouvrement inverse crête
5ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
100mA
Pays d'origine
China
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 250 mA, Diodes Inc
Les diodes SBR (Super Barrier Rectifiers) sont des redresseurs nouvelle génération. Le circuit deux terminaisons est doté d'une tension directe (VF) plus basse que les diodes Schottky comparables, tout en possédant les caractéristiques de stabilité thermique et de haute fiabilité des diodes épitaxiales PN.
Diodes and Rectifiers, Diodes Inc
€ 4,72
€ 0,189 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Standard
25
€ 4,72
€ 0,189 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Standard
25
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Quantité | Prix unitaire | Par Bande |
---|---|---|
25 - 225 | € 0,189 | € 4,72 |
250 - 725 | € 0,066 | € 1,64 |
750 - 1475 | € 0,066 | € 1,64 |
1500 - 2975 | € 0,05 | € 1,26 |
3000+ | € 0,033 | € 0,82 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de montage
CMS
Type d'emballage
SOT-23, TO-236
Courant direct continu maximum
70mA
Tension inverse de crête répétitive
70V
Configuration de diode
Anode commune
Type de redressement
Schottky Diode
Type diode
Schottky
Nombre de broche
3
Chute minimale de tension directe
1V
Nombre d'éléments par circuit
2
Technologie de diode
Barrière Schottky
Temps de recouvrement inverse crête
5ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
100mA
Pays d'origine
China
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 250 mA, Diodes Inc
Les diodes SBR (Super Barrier Rectifiers) sont des redresseurs nouvelle génération. Le circuit deux terminaisons est doté d'une tension directe (VF) plus basse que les diodes Schottky comparables, tout en possédant les caractéristiques de stabilité thermique et de haute fiabilité des diodes épitaxiales PN.